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发布：2024-01-22 00:34，更新：2024-04-29 12:00

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自50多年前硅晶体管、半导体集成电路发明以来，3-D结构晶体管投入批量生产，这是2011年5月4日英特尔公司在位于美国加州圣克拉拉宣布的重大突破。这标志着，今后采用3D技术的CPU耗电量会一半。称为三栅极（Tri-Gate）的性3-D晶体管设计（英特尔曾在2002年），并于今年底投入批量投产研发代号Ivy Bridge的22纳米英特尔芯片。其实，英特尔公司在2003年CEO贝瑞特访问在回答记者关于摩尔定律没有考虑功耗的增长问题时，就向记者透露过关于3维门技术的研况，在2008年记者去英特采访时也追问过贝瑞特相关进展，的是“3-5年内实现”，8年后的发布的这款3-D三栅极晶体管代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。目前所使用的所有半导体晶体管集成电路都是2D的，即半导体晶体只生在平面内，而3D晶体管却生长上3维中，不仅集成度,而且可以50%以上的漏电流，这样，在理论上所有半导体芯片今后可以一半的功耗。英特尔公司总裁兼首席执行官欧德宁（Paul Otellini）表示：“英特尔的科学家和工程师通过采用3-D结构，再一次实现了晶体管的。随着我们把摩尔定律推进到新的领域，3-D结构将帮助我们打造令人惊叹且能改变的设备。” 与之前的32纳米平面晶体管相比，22纳米3-D三栅极晶体管在低电压下将性能了37%，而且只需消耗不到一半的电量，就能达到与32纳米芯片中2-D平面晶体管一样的性能。背景：晶体管里程碑 1、 1947年12月16日：WilliamShockley、John Bardeen和Walter Brattain在贝尔实验室成功出晶体管。 2、1950年：William Shockley出双极结型晶体管，就是现在通行的晶体管。 3.1954年10月18日：晶体管收音机Regency TR1上市，这种收音机里面只包含四个锗晶体管。 3、1961年4月25日：罗伯特·诺伊斯集成电路专利。初的晶体管对于收音机和而言已经足够了，但是更新的电子设备要求规格更小的晶体管——集成电路。 4、1965年：摩尔定律诞生——戈登·摩尔在《电子》发表的文章中：未来芯片上晶体管的数量大约每年翻一倍（10年后，修正为每两年翻一倍）。三年后，摩尔和诺伊斯创建了英特尔公司，英文名Intel即“集成电子（integrated electronics）”的缩写。 5、1969年：英特尔出成功的PMOS硅栅极晶体管技术。这些晶体管继续使用的二氧化硅（SiO2）栅介质，但是引入了新的多晶硅栅电极。 6、1971年：英特尔推出微处理器——4004。4004的规格为1/8英寸×1/16英寸，包含2250个晶体管，采用英特尔10微米PMOS技术在2英寸晶圆上生产。 7、1985年：英特尔386 微处理器问世，含有275,000个晶体管，是初4004晶体管数量的100多倍。386是32位芯片，具备多任务处理能力，可同时运行多个程序。初是使用1.5微米CMOS技术制造的。 8、2002年8月13日：英特尔发布了90纳米制程技术的若干技术突破，包括高性能、低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低-k介质材料。这是业内在生产工艺中采用应变硅。 9、2007年9月：英特尔公布采用突破性的晶体管材料——高-k金属栅极。英特尔将采用这些材料在公司下一代处理器——英特尔酷睿 2双核、英特尔酷睿2四核处理器以及英特尔至强系列多核处理器的数以亿计的45纳米晶体管中用来构建绝缘“墙”和开关“门”，研发代号为Penryn。 10、2011年5月3日——英特尔宣布将批量生产一种全新的晶体管设计。三栅极晶体管将在各种计算设备中（从到台式机，从电脑到手持式设备）实现前所未有的高性能和能效。背景： 22纳米到底如何小而强早由贝尔实验室在1947年的晶体管非常大，以至于可用手直接进行组装。与之形成强烈对比的是，一个针头上就可以容纳超过1亿个22纳米三栅极晶体管。本文一个英文句点符号上可以容纳超过600万个22纳米三栅极晶体管。 22纳米三栅极晶体管的栅极非常小，人的一根头发的宽度就能容纳超过4000个栅极。果果一幢普通房子按照晶体管的发展速度缩小，那么它已经小到你只有通过显微镜才能看到它。要想用看到22纳米的晶体管，你必须把一块芯片放大到比房子还大。与英特尔1971年推出的4004微处理器相比，22纳米CPU的运行速度了4000多倍，而每个晶体管的能耗则了5000倍。每个晶体管的价格到原来的1/50000。一个22纳米晶体管可在1秒钟之内开关1000亿次。一个人开关这么多次电灯，差不多需要花2000年时间。设计三栅极晶体管是一回事，投入批量生产又是另一回事。英特尔工厂每秒钟生产超过50亿个晶体管，每年就是150,000,000,000,000,000个。这相当于全所有男人、和儿童都有超过2000万个晶体管。