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IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术的代表性产品，广泛应用于轨道交通、、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域，被业界誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。南车大功率IGBT产业化基地25日在株洲奠基，这标志着首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。 160亩、由南车株洲所具体实施的南车大功率IGBT产业化基地项目，总投资14，预计到2013年正式投产。项目建成后，将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只IGBT模块的能力，年产值超过20亿元。 “目前，国内缺少IGBT的产业化设计、生产、封装、和可靠性试验等一套完整的技术，国内IGBT的主要供应商为外国厂商。大功率IGBT产业化基地的建设，将改变核心技术受制于人，产品依赖进口的不利局面，轨道交通等重大装备制造业的核心竞争力。”南车株洲所总工程师冯江华表示。记者了解到，该基地除建设一条的8英寸IGBT芯片生产线外，还将建设9条不同行业用的IGBT模块生产线。产品电压等级从600伏到6500伏，轨道交通以及电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网、高压变频、工业传动等多个行业需求，成为完全依靠自主能力建设、设计规、技术实、产品型谱全的大功率IGBT产业化基地。作为国内IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—应用完整产业链的企业，南车的技术研发、产品设计、制造与销售都定位在面向全球布局。2010年，南车在海外成立功率半导体研发中心，负责承担电力电子器件中长期战略项目和重大项目的技术跟踪、研究和，专门从事高压IGBT芯片技术研究和新一代IGBT器件，支撑并引领公司大功率半导体器件产业的可发展，水平的差距。南车透露，期望通过大功率半导体器件IGBT产业化项目的建设，实现芯片—模块—应用的完整产业链，填补在这一领域的技术和产品空白，实现电力电子器件的技术跨越，技术制高点，实现南车“十二五”期间打造全球大功率半导体器件前三强目标。