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从本月起三星电子将在全球率先量产采用“Toggle DDR 2.0”的20纳米级(1纳米: 十亿分之一米)超高速MLC NAND Flash，今后NAND Flash全线产品将采用“Toggle DDR 2.0”。这是三星电子继2009年全球率先量产利用133Mbp传输速度启动的 30纳米级32Gb Toggle DDR 1.0 MLC NAND Flash之后，今年再次于全球率先量产400Mbps传输速度的 64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash新品。据悉，Toggle DDR 2.0 NAND Flash具有高性能、大容量的特点，能够实现400Mbps数据处理速度，比通用NAND Flash快10倍。有分析认为，Toggle DDR 2.0 NAND Flash的推出有望扩大4G智能手机、平板电脑、SSD等高速NAND市场，通过应用新一代规格，Toggle DDR 2.0或将主导整个NAND Flash市场的高速发展。业内人士表示，64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash是用在搭载比现有速度快一倍的U 3.0,有望成为SATA(Serial Advanced Technology Attachment)6Gbps 等下一代界面、大容量产品上的NAND Flash 方案。据推测，智能手机、SSD、存储卡等的生产厂商将从今年下半年开始推出各种基于64Gb高速NAND Flash的高性能、大容量产品，受此影响高速NAND Flash的市场比重有望大幅增长。记者获知，目前20纳米级64Gb MLC NAND Flash不仅生产效率上比去年4月全球率先量产的20纳米级32Gb MLC NAND Flash了50% 以上，而且成本竞争力也比30纳米级32Gb MLC NAND Flash了2倍以上。三星电子半导体事业部存储战略部负责人洪完勋副董事长说，“通过这次20纳米级64Gb高速NAND Flash的量产，三星电子将主导高速增长中的4G超高速智能手机甚至大容量6.0Gbps SSD市场”，洪完勋也表示，“今后三星还将适时推出更快的大容量下一代Toggle DDR NAND Flash和解决方案，让消费者能够在更高速的设备上尽情各种各样的服务”。根据市场调查机构，截止2015年，NAND Flash内存以2010年数量为基准有望实现年均54%的增长速度，64Gb以上的产品比重也将从2010年的3%大幅到2012年的70%，实现飞跃增长。