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　　制驱动电流和静电能力在平面晶体管中，可以通过通道宽度来驱动更多电流并接通与断开的速度然而，随着CMOS设计的发展，单元的轨道高度不断，这就“鳍”的尺寸受到，而基于5nm以下节点制造的单鳍器件将会无法提供足够的驱动电流此外，虽然“鳍”的三面均受栅极，但仍有一侧是不受控的随着栅极长度的缩短，短沟道效应就会更明显，也会有更多电流通过器件底部无的部分泄露因此，更小尺寸的器件就会无法功耗和性能要求用纳米薄片代替鳍片全包围栅极(GAA)是一种经过改。

 

 

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　　∴Z=UK/100·Ue2/S=8/100×3822/（8100×103）=0.00144ΩR=（60.99×103）/3×2×=0.000272ΩX=（Z2-R2）1/2=（14.42–1.362）1/2×10-4=0.00141Ω将此感抗值换算为电感，L=X/2πf=0.00141/2×3.14。

 

 

MP6901DJ-LF-Z

GT15-QC150BS

SFD-047A

K4T1G164QE-HCF7

THC63LVD104C-1TTB

170M2676

GXL-15HLU

74LVCE1G04FZ4-7

EX-Z11FAR

SJA1105QELY

MSP430F5509IRGCT

ISL1536IRZ-T13

74LVCE1G86SE-7

ISL62881DHRTZ-T

71V3579S75PFGI

TLE4928

LTC1485CS8

HG-JR734

AW15208HFDR

LT1976EFE

XC9572XL-7TQ100I

CXG1194UR-T9

BC847CW

PT7563WEX

RFD12N06RLE

ST202BDR

FR-BMF-15K

71T75602S100BGG

ICL3221CVZ-T

74LVC2G17GW,125

T6UH2XBG-0001

GX-M8A-P-Z

CS8900A-CQ3ZR

VEML6030X01

DS90C031TMX

MR-J3-350B4-RJ006

NA1-11-C5

S70FS01GSAGMFV011

A6CON-LJ5P

LT1782HS6#TRMPBF

PNA4612M00HB

ADA4853-3YRUZ

CAT25040

ACPL-C870-500E

EP2C35F484C7N

MPC8315CVRAGDA

MCP6544T-E/ST

H5MS5162DFR

STM32F030C6T6TR

A1SJ71QLP21S

1007090-1

TLV76618QWDRBRQ1

FX293X-040B-0010-L

HIP4082IB

DPC-L101-J

MA40S4R

ECS78RSA502

RB520CS30L，315

I2032VE-110LT48

STM32F031K4U6

MSA-28WSCR1.842G

XQ4013XL-Q240N

TMS320F2802PZA-60

ST4-A1-J02

HY5DU283222F-33

MM-EFS221M4

7025L25G

PC87309-ICK/VLJ

DPH-L113

GD32F350G4U6

L256V-75F256B-10I

RB5P0050M

NXP MPF5200AMBA0ES

GAL22V10-15LD/883

ECLAMP2522P.TCT

SC1645

S26KS128SDABHB030

ISL81487IBZ

GX-8MUB

FA23845N-TE1